钱贺没有追问何成打算怎么解决，因为钱贺其实是比较信任何成的。
信任达到一定程度后就不会去问太多的东西，静观其变就是了。
两人都沉默后，微电子研究所的另一名副主任上台致辞，并确定了今天的会议重点是讨论技术。
上一次会议主要是收集行业意见的，所以参会人员更多。
这一次则是以技术讨论为主，今天的讨论结果将会成为后续最终确认如何定位光刻机项目的参考依据。
副主任致辞结束后，主任亲自上台先给大家分享了微电子研究所的一些技术发展情况以及一些技术想法。
然后其他机构和高校代表陆续上台。
在这个过程中，几乎每一个代表都会提及一个话题，就是光源突破的问题。
1999年，是华夏重新审视，重新定位光刻机的关键时刻，也是光刻机这个产品本身发展的关键时刻。
因为全球所有的光刻机企业，这会儿都被卡在193nm波长如何突破的问题上了。
准确来说，大家从1997年开始就被这个问题卡住了，从此，突破193nm之战，成为了光刻机行业的核心竞争点。
而1999年，是全球各家光刻机企业陆续决定突破方案的一年，从而促使这一竞争进入了关键时期。
其中包括157nm F2激光方案，电子束投射方案，离子投射方案，EUV方案和X光方案等等。
至于最终的战果，后世的人都很清楚，阿斯麦基于林本坚的思路推出了浸入式光刻机，一举干翻尼康，从此成为了光刻机市场唯一的霸主。
这里有一个很有趣的点在于，浸入式光刻机的核心理论就是在晶圆光刻胶上方加1mm厚的水，然后水可以把193nm的光波长折射成134nm。
相比于尼康的157nm F2激光方案，相比于英飞凌的0.00005nm离子投射方案，相比于朗讯实验室的电子投射方案，这是实现成本最低，实现方式最简单的方案。
可就是这样一个最低廉最简单方案，最终却成为了当下的最优方案。
这也是技术发展有意思的地方之一。
很多时候，往往是一个简单的突破点改变了一个影响全世界的产业。
所以对华夏的这些科研机构和高校来说，大家想要在这个时候重视光刻机的研发，自然绕不开光源突破这个话题。
而从大家的表述来看，90%以